6 在打開檢測(cè)頭外殼(上蓋)時(shí)對(duì)測(cè)量工作點(diǎn)的影響有多大?

發(fā)布時(shí)間: 2005-12-23 來源：作者：

答：1. 雙電容檢測(cè)(集成電路芯片)蓋上蓋與不蓋蓋測(cè)量工作點(diǎn)相差一百至二百多毫伏。

2. 單電容檢測(cè)(分離器件)蓋上蓋與不蓋蓋測(cè)量工作點(diǎn)相差幾百毫伏或者是1～2伏左右，分離器件的差異大一些。

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